長鑫存儲傳將進軍快閃記憶體　迎戰三星與長江存儲

Reuters 路透社報導

路透社（Reuters）報導，三名知情人士透露，中國晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正準備跨足蓬勃發展的快閃記憶體（NAND Flash）市場。此舉不僅讓這家專注於動態隨機存取記憶體（DRAM）的廠商跨出核心業務，更將正面迎戰南韓三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美國美光（Micron）以及中國本土競爭對手長江存儲（YMTC）。

由於人工智慧（AI）伺服器需求爆發，引發全球記憶體供應嚴重吃緊，業界高層預期這波短缺至少將持續到2027年。市調機構TrendForce指出，製造商優先將資本支出投入DRAM與高頻寬記憶體（HBM），進一步排擠NAND快閃記憶體的產能擴充。根據TrendForce統計，三星今年第二季以29.3%的市占率穩居全球NAND營收龍頭，SK海力士與美光分居二、三名。

消息人士指出，長鑫存儲計劃在北京新廠設立NAND快閃記憶體研發產線，並已在北京成立研究院推動相關專案，甚至開始與客戶接洽，包括一家有意將其NAND晶片用於AI系統與超級電腦的初創企業。不過，目前尚不清楚該研發產線何時正式運作，以及是否會從試產邁向大規模商業量產。

長鑫存儲與長江存儲過去被視為中國記憶體晶片領域的「雙子星」，長鑫存儲主導DRAM生產，長江存儲則專攻NAND。然而兩者界線已逐漸模糊，長江存儲先前也傳出向客戶發送低功耗DRAM樣品。隨著美國加強出口管制，長江存儲於2022年被列入美國實體清單，推動中國加速晶片自主化進程，兩家業者在官方資金挹注下持續擴張版圖。